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一種適用于無(wú)源RFID的低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2019-07-12 11:34:10來(lái)源:

  湖南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)一種適用于無(wú)源RFID的低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)+陳迪平1C,高雪杰1,曾建平1,陳弈星2(1.湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院,湖南長(zhǎng)沙410082;2.長(zhǎng)沙麓湖微電子技術(shù)有限公司,湖南長(zhǎng)沙410082)提出了一種新的基準(zhǔn)電壓源電路和一種利用輸出電壓為基準(zhǔn)電壓源電路供電的方式,使得該LDO穩(wěn)壓器具有低靜態(tài)電流、輸出電壓穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。基于CSMC0. 5模型庫(kù)對(duì)其進(jìn)行了仿真,初始電壓在3.49V的變化范圍內(nèi),該電路輸出電壓僅變化0.535mV,電路自身的靜態(tài)電流僅為5.79pA.頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象電子標(biāo)簽并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),可工作于各種惡劣環(huán)境,識(shí)別高速運(yùn)動(dòng)物體并同時(shí)識(shí)別多個(gè)標(biāo)簽,操作快捷方便,因而有廣泛的應(yīng)用。RFID可分為有源和無(wú)源電子標(biāo)簽,其中無(wú)源電子標(biāo)簽自身不帶電源,工作時(shí)需要從讀寫器周圍的電磁場(chǎng)獲得能量。無(wú)源供電技術(shù)是無(wú)源電子標(biāo)簽芯片的關(guān)鍵技術(shù)之,它先將接收到的信號(hào)經(jīng)過(guò)整流,從中獲取初級(jí)整流工作電壓,該初始工作電壓經(jīng)過(guò)后級(jí)的穩(wěn)壓電路產(chǎn)生穩(wěn)定電壓。

  本文給出了一種適用于無(wú)源13. 56MHzRFID標(biāo)簽芯片的LDO(1owdropout)線性穩(wěn)壓器電路的設(shè)計(jì),利用MOS管遷移率"和隨溫度的變化關(guān)系,設(shè)計(jì)了一種新的基準(zhǔn)電壓源電路,并提出一種利用輸出電壓為基準(zhǔn)電壓源電路供電的方式,使得輸出電壓受初始電壓影響很小。該穩(wěn)壓器具有較寬的輸入電壓范圍(3.49V),超低的靜態(tài)電流(5.79PA)和電壓調(diào)整率(0.基金項(xiàng)目:湖南省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(095041)湖南省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(2008F3123):陳迪平(1962?),男,湖南醴陵人,湖南大學(xué)教授1種低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)bookmark2 1.1基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)為了減小模擬電路和數(shù)字電路之間的相互影響,標(biāo)簽芯片中穩(wěn)壓電路會(huì)分別為模擬電路和數(shù)字電路提供獨(dú)立的供電電源。對(duì)于工作電壓為3. 3V的數(shù)字工藝庫(kù),要求數(shù)字電路供電電源在3. 03.6V范圍內(nèi)變化,否則數(shù)字電路可能工作不正常??紤]到工藝角的偏差和溫度的變化,初級(jí)整流電壓的大范圍變化因素,為了保證數(shù)字電路供電電源在所指定的范圍內(nèi),目前般米用的是LDO結(jié)構(gòu)。

  如所示為L(zhǎng)DO的一般結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊、誤差放大器模塊、分壓網(wǎng)絡(luò)、傳輸元件4部分組成。

  而基準(zhǔn)電路是LDO線性穩(wěn)壓器的核心模塊,是影響穩(wěn)壓器精度的比較主要因素。目前常見(jiàn)的基準(zhǔn)電壓源采用的是帶隙基準(zhǔn)電壓源,如所示為常見(jiàn)的帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路結(jié)構(gòu)。帶隙基準(zhǔn)源具有電壓輸出穩(wěn)定的特點(diǎn),但該結(jié)構(gòu)自身的靜態(tài)電流不能降得太低,基于進(jìn)一步降低靜態(tài)電流的目的,本文設(shè)計(jì)的一種基準(zhǔn)電壓源如所示。

  而MN2,MN3的柵源電壓Vgs分別表示為:其中MN3的W/L比較大,為流過(guò)MP0,MP1中的電流,通過(guò)鏡像,假設(shè)流過(guò)MN2和MN3電流也為,且電流可表示為:將式(2),(3),(4)代入式(1)中可得:將式(5)對(duì)了求導(dǎo)可得:上0知,右式第一項(xiàng)具有負(fù)溫度系數(shù)(典型值為一2mV/°C),第二項(xiàng)具有正溫度系數(shù),在一定溫度下,通過(guò)調(diào)節(jié)MN2管的W/L值,可以使第二項(xiàng)與第一項(xiàng)的正負(fù)溫度系數(shù)在常溫下(可取為25C)相抵消,使得的溫度系數(shù)為0,即=,從而產(chǎn)生對(duì)溫度不敏感的基準(zhǔn)電壓源。

  相對(duì)于帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,本文所設(shè)計(jì)的電壓源電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,很低的靜態(tài)電流消耗的優(yōu)點(diǎn)。Spectre模擬仿真結(jié)果表明,所示的基準(zhǔn)電壓源電路的輸出穩(wěn)定且靜態(tài)電流僅為1.95pA. 1.2整體電路設(shè)計(jì)整體電路如所示,整個(gè)電路采用的是無(wú)錫管9,C5為儲(chǔ)能電容,R2,C2構(gòu)成低通濾波電路。

  電路的工作原理如下:當(dāng)初始電壓VHD由0開(kāi)始上升到約2V的時(shí)候,由于電容C6的作用,使得MP11,MN10構(gòu)成的反相器電路輸出低電平,MP12,MN11構(gòu)成的反相器電路輸出高電平,于是MP13,MN9導(dǎo)通,因此MP13的漏極電壓和輸出電壓VDD就會(huì)隨著初始電壓逐漸上升。當(dāng)VHD繼續(xù)上升到一定值時(shí),MP15支路開(kāi)始有電流流過(guò),這個(gè)電流一方面通過(guò)MP14的鏡像來(lái)給基準(zhǔn)電壓源電路提供啟動(dòng)電流,另一方面通過(guò)MN12的鏡像來(lái)拉低MP11,MP10的柵極電壓。當(dāng)流過(guò)MP15中的電流達(dá)到一定值時(shí),MP11,MP10的柵極電壓將被拉低,于是MP13,MP17的柵極電壓跳變?yōu)楦唠娖?,MN9的柵極電壓跳變?yōu)榈碗娖健R虼嘶鶞?zhǔn)電壓源的啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束,輸出穩(wěn)定的電壓,同時(shí)誤差放大器也開(kāi)始正常工作,將輸出電壓VDD穩(wěn)定在3.3V左右。從圖中可以看出,VDD正常輸出后為基準(zhǔn)電壓源電路提供電源,而基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓又產(chǎn)生穩(wěn)定的VDD電壓輸出。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是消除了當(dāng)VHD在大的范圍內(nèi)變化時(shí)對(duì)基準(zhǔn)電壓源的影響,從而使得輸出電壓VDD受VHD的影響更小。

  2電路仿真結(jié)果基準(zhǔn)電壓源及輸出電壓的仿真結(jié)果如所示,從(a)和(b)中的曲線可以看出,當(dāng)溫度從一45C變化到85C時(shí),基準(zhǔn)電壓源的輸出變化了約12mV,溫度系數(shù)為101.4ppm/°C,在20C時(shí)溫度系數(shù)為0,輸出電壓變化了約45mV.為輸出電壓VDD隨初始電壓VHD的變化曲線,從圖中可以工藝CSMC0.5ym輸入電壓范圍/V3.49基準(zhǔn)電壓源靜態(tài)電流/yA1.95總靜態(tài)電流/yA5.79溫度系數(shù)/(ppm/C)1014電壓調(diào)整率/(mV/V)0099比較大負(fù)載電流/mA115PSRR/dB-73.看出:當(dāng)初始電壓從3.5V變化到9V時(shí),輸出電壓18V.為負(fù)載電流突然變化時(shí),輸出電壓的瞬態(tài)響應(yīng)。從圖中可以看出當(dāng)負(fù)載電流在5ys內(nèi)從5yA變化到3mA時(shí),輸出電壓變化約90mV,并且很快恢復(fù)穩(wěn)定輸出。

  為負(fù)載電流從0變化到3mA時(shí)輸出電壓的變化曲線,本文設(shè)計(jì)的LDO穩(wěn)壓器性能總結(jié)見(jiàn)表1.負(fù)載電流變化時(shí)輸出電壓響應(yīng)3結(jié)論由于LDO結(jié)構(gòu)具有很高的穩(wěn)壓性能以及足夠的負(fù)載能力,因此該結(jié)構(gòu)經(jīng)常被用來(lái)作為RFID的穩(wěn)壓電路。本文提出了一種適用于無(wú)源RFIDLDO結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方案,其中重點(diǎn)提出了一種新的基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方案,利用MOS管遷移率"P,"和VbE隨溫度的變化關(guān)系,產(chǎn)生了隨溫度變化較小的基準(zhǔn)電壓源,并利用輸出電壓為基準(zhǔn)電壓源電路供電,基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓又產(chǎn)生穩(wěn)定的VDD輸出電壓的閉環(huán)原理,使得輸出電壓受初始電壓影響很小。本文設(shè)計(jì)的LDO電路結(jié)構(gòu)具有較寬的電壓輸入范圍(3.49V),低的總靜態(tài)電流(5.79yA),低的電壓調(diào)整率(0.099mV/V),大的負(fù)載電流(11.5mA),而RFID天線感應(yīng)到的比較大峰值電流約為3mA,標(biāo)簽芯片的數(shù)字部分的比較大消耗電流約為500yA,且除了溫度系數(shù)低于傳統(tǒng)的LDO結(jié)構(gòu)外(傳統(tǒng)典型值約為20ppm/C),其它各指標(biāo)都優(yōu)于傳統(tǒng)LDO結(jié)構(gòu),特別是在無(wú)源RFID比較關(guān)心的靜態(tài)功耗方面更是有很大的優(yōu)勢(shì),因此更適用于RFID的穩(wěn)壓器電路,其版圖如所示。

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