1.IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。新鄉(xiāng)安川變頻器維修，鶴壁安川變頻器維修，安陽(yáng)安川變頻器維修，濮陽(yáng)安川變頻器維修，焦作安川變頻器維修，濟(jì)源安川變頻器維修，洛陽(yáng)安川變頻器維修，三門峽安川變頻器維修，開(kāi)封安川變頻器維修，許昌安川變頻器維修，周口安川變頻器維修，商丘安川變頻器維修，漯河安川變頻器維修，平頂山安川變頻器維修，信陽(yáng)安川變頻器維修，南陽(yáng)安川變頻器維修，駐馬店安川變頻器維修 ,山西安川變頻器維修，山東安川變頻器維修等  鄭州安川變頻器維修中心 直流調(diào)速器維修 鄭州軟起動(dòng)器維修 維修電話：0371- 56700815  15515598858  鄭州變頻器　網(wǎng)址：http://www.drtubing.com