1 前 言
    電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 ， 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80年 代 ， 為 了 給 高 電 壓 應(yīng) 用 環(huán) 境 提 供 一 種 高 輸 入 阻 抗 的 器 件 ， 有 人 提 出 了 絕 緣 門 極 雙 極 型 晶 體 管 （ IGBT） [1>。 在 IGBT中 ， 用 一 個(gè) MOS門 極 區(qū) 來(lái) 控 制 寬 基 區(qū) 的 高 電 壓 雙 極 型 晶 體 管 的 電 流 傳 輸 ， 這 就 產(chǎn) 生 了 一 種 具 有 功 率 MOSFET的 高 輸 入 阻 抗 與 雙 極 型 器 件 優(yōu) 越 通 態(tài) 特 性 相 結(jié) 合 的 非 常 誘 人 的 器 件 ， 它 具 有 控 制 功 率 小 、 開 關(guān) 速 度 快 和 電 流 處 理 能 力 大 、 飽 和 壓 降 低 等 性 能 。 在 中 小 功 率 、 低 噪 音 和 高 性 能 的 電 源 、 逆 變 器 、 不 間 斷 電 源 （ UPS） 和 交 流 電 機(jī) 調(diào) 速 系 統(tǒng) 的 設(shè) 計(jì) 中 ， 它 是 目 前 比較 為 常 見 的 一 種 器 件 。
    功 率 器 件 的 不 斷 發(fā) 展 ， 使 得 其 驅(qū) 動(dòng) 電 路 也 在 不 斷 地 發(fā) 展 ， 相 繼 出 現(xiàn) 了 許 多 專 用 的 驅(qū) 動(dòng) 集 成 電 路 。 IGBT的 觸 發(fā) 和 關(guān) 斷 要 求 給 其 柵 極 和 基 極 之 間 加 上 正 向 電 壓 和 負(fù) 向 電 壓 ， 柵 極 電 壓 可 由 不 同 的 驅(qū) 動(dòng) 電 路 產(chǎn) 生 。 當(dāng) 選 擇 這 些 驅(qū) 動(dòng) 電 路 時(shí) ， 必 須 基 于 以 下 的 參 數(shù) 來(lái) 進(jìn) 行 ： 器 件 關(guān) 斷 偏 置 的 要 求 、 柵 極 電 荷 的 要 求 、 耐 固 性 要 求 和 電 源 的 情 況 。 圖 1為 一 典 型 的 IGBT驅(qū) 動(dòng) 電 路 原 理 示 意 圖 。 因 為 IGBT柵 極